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三星电子:不会人为减产存储芯片

2019-07-30 15:04:18

三星电子7月31日将举行第二季度(4月~6月)电话会议,有消息称,三星电子不会像SK海力士一样宣布减产存储芯片。

据韩国《中央日报》7月30日报道,三星电子相关人士7月29日表示,“目前并未听到关于人为减产的计划”,“电话会议上也不会有大的变化”。对于台湾媒体“DIGITIMES”最近报道“三星电子将把NAND闪存半导体价格上调10%”的消息,三星电子方面也回应称“并非事实”。

据了解,海力士宣布进一步减产存储芯片后,市场一直关注着三星电子的电话会议。韩媒称,三星电子不会提到诸如SK海力士宣布的“减少晶圆用量”等意味着直接减产的说法。

在此之前,美国的美光曾决定对DRAM和NAND闪存分别减产5%,并在6月份决定将NAND闪存的减产量扩大到10%。

预计三星电子将宣布对生产流水线进行效率化调整,而不是直接宣布减产。因为对半导体生产流水线的设置进行最优化重新调整,自然就会出现一定程度的减产。

报道称,日本政府限制三种材料(蚀刻气体、光刻胶、含氟聚酰亚胺)对韩出口后,由于投机性需求等增加带动上升的半导体价格最近已经重回稳定。市场研究机构DRAMeXchange的数据显示,7月29日,DDR4 8Gb的DRAM现货价格为3.64美元,比上周下降了2.6%。

Eugene投资证券公司研究员李胜宇(音)表示,“DRAM现货价格在过去两周上升了20%以上,交易量却没有同时上升”,“预计明年1月Window 7安全服务停止后,企业用电脑升级和数据中心企业的需求将会出现恢复趋势,存储芯片需求将挺过最困难的阶段”。也就是说,虽然投机性需求带来的DRAM价格泡沫已经破灭,但半导体景气很快就可以真正恢复。

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来源:观察者网 | 责任编辑:何书睿
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