三星宣布5/4/3nm芯片制造工艺
来源:观察者网综合
2018-05-24 09:19
【观察者网 综合报道】尽管当前最新的一代移动芯片仍基于10纳米工艺制程,但三星宣布早已经准备好了7纳米LPP工艺,2018年下半年就可以基于此全新工艺生产更小、更低功率的芯片。
而且在昨天的Samsung Foundry Forum论坛上,三星还直接宣布了5/4/3nm工艺技术。
其中,5nm LPE工艺相较于7nm LPP,会进一步缩小芯片核心面积,带来更低的功耗。
4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinFET技术,进步压缩芯片面积。
3nm GAAE/GAAP则采用了全新的GAA(Gate-All-Around,环绕栅极)纳米技术,需要重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。