长鑫存储宣布成为DRAM内存生产商,国内首家

来源:观察者网

2019-12-10 17:30

(观察者网讯 文/吕栋 编辑/尹哲)

据电子工程专辑(EETimes)12月3日报道,合肥长鑫存储近日宣布,已成为国内第一家也是唯一一家DRAM(动态随机存储器)生产商。

在接受上述媒体专访时,长鑫存储的代表透露,该公司已经完成合肥Fab 1及研发设施建设,目前月产能2万片,并计划在2020年第二季度将产能提高一倍,达到每月4万片,约占全球内存产能的3%。

DRAM是最常见的系统内存,也是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。

观察者网查询发现,在该领域领域,三星、SK海力士、美光的全球市场份额合计接近95%。与此同时,这三家企业掌控着诸多DRAM技术专利。

而以长鑫存储为代表的中国存储芯片企业正应对挑战,该公司一直在从韩国和台湾地区招募工程师,并“挖角”德国奇梦达(Qimonda),以建立DRAM相关人才储备。

另外,知识产权问题也日益受到重视。不久前,长鑫存储通过加拿大知识产权公司WiLAN获得大量来源于英飞凌的DRAM技术专利的实施许可。

报道截图

据报道,除上述项目之外,长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂以及一些基础设施,为3000名员工及其家人提供住房。

今年9月20日,长鑫存储宣布:总投资约1500亿元的内存芯片自主制造项目正式投产。其与国际主流DRAM同步的10nm级第一代8Gb DDR4也首度亮相 。

不过,前述报道认为,目前中国进入国际DRAM市场的难度依然很大:一方面生产经验与专业知识欠缺,另一方面是知识产权积累上存在短板。

DRAMeXchange数据显示,在DRAM领域,今年三季度,三星、SK海力士、美光的全球市场份额合计接近95%,更重要的是,这三家企业同时掌控着诸多DRAM技术专利。

而以长鑫存储为代表的中国存储芯片企业正积极应对挑战,该公司一名业务发展总监在接受上述媒体采访时表示,长鑫存储3000名员工中,70%是工程师和技术人员。

此外,长鑫存储一直在从韩国和中国台湾地区招募工程师,并“挖角”一度是全球第二大DRAM制造商的德国奇梦达(Qimonda),以建立DRAM相关人才储备。

例如,奇梦达原副总裁屈斯特尔斯(Karl Heinz Kuesters)已成为长鑫存储顾问,他在奇梦达及其母公司英飞凌工作了24年,负责技术和前期开发。

长鑫存储厂房效果图 图自长鑫存储

事实上,DRAM技术有沟槽式(Trench Dram)和堆栈式(Stack Dram)两种,后者技术竞争力相对较好,但是由于早期市场原因,该技术被搁浅,奇梦达也于2009年破产。

之后,长鑫通过授权获得奇梦达的堆栈式相关技术,借助从全球招揽的人才和制造装备,开始使用堆栈电容工艺技术进行生产,并把奇梦达的46nm工艺平稳推进到了10nm。

报道引述Object Analysis首席分析师汉迪(Jim Handy)评论称,“长鑫存储拥有比大多数人预期的中国DRAM制造商更高的专业水平”。

“(长鑫)基本是奇梦达在中国的设计中心,因此他们能够使用奇梦达的知识产权。这让他们比中国其他DRAM和闪存芯片(NAND)的新兴制造商处于更有利的位置。”汉迪表示。

12月5日,长鑫存储在官方微信公号宣布,通过加拿大知识产权公司WiLAN获得大量来源于奇梦达母公司英飞凌的动态随机存取存储芯片(DRAM)技术专利的实施许可。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示:“两份协议标志着,在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面,长鑫存储采取了新举措。”

另外,朱一明今年5月披露,长鑫存储已从奇梦达获得部分技术来源。与后者的合作使长鑫存储获得一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据,成为公司最初的技术来源之一。

责任编辑:吕栋
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