观察者网

韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

责任编辑:连政 来源:观察者网      2020-12-07 15:10:32

(观察者网讯)12月7日,韩国半导体公司SK海力士表示,近期已成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。

据韩联社12月7日报道,SK海力士介绍,第三代4D NAND闪存达到业界最高水平,比上一代128层产品提高了35%以上生产率,增强了产品成本竞争力。另外,SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%,数据传输速度达到每秒1.6Gb,提高了33%。

上月,SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品,计划明年6月左右批量生产,并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品,扩大各应用领域的市场。另一方面,韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND,预计明年批量生产。

分享到
专题 > 消费
消费
小编最近文章
卢旺达大屠杀要犯在法国落网
南非出现首例确诊,总统:恐重创经济
里皮辞职,足协话都说不清楚了
默克尔访印期间,新德里因雾霾进入紧急状态
特朗普书法作品“你真棒”曝光
风闻·24小时最热
网友推荐最新闻
相关推荐
切换网页版
下载观察者App
tocomment gotop