Intel近日宣布，由于良品率问题，10nm工艺大规模量产将推迟到2019年。至此，让人望眼欲穿的Intel 10nm将比最初计划延期长达三年之久。

英特尔10nm工艺跳票至2019年

从1999年的180nm工艺开始，英特尔一直保持着每两年更新一次工艺的步伐。然而在2015年7月，英特尔承认原计划在2016年问世的10nm将跳票至2017年下半年。不过结果显而易见，至今我们也没有见到10nm大规模量产。

对此，英特尔一直没有公开解释10nm一再跳票的原因。但有消息称，由于10nm工艺晶体管密度超高，需要使用多重曝光技术，有些时候不得不使用五重乃至是六重曝光，这就导致生产流程加长、成本加高，因此良品率令人堪忧。

Intel CEO科再奇透露，目前正在小批量出货10nm芯片，良品率也在改善，但改进速度未达预期，需要花更多时间部署和验证，因此10nm工艺的大规模量产从2018年推迟到2019年。

至于是2019年上半年还是下半年，科再奇表示并未确定，但是会竭尽所能加快速度，只要良品率达标就会尽快量产。

Intel没有公开解释10nm一再跳票的原因，据了解主要是Intel 10nm工艺晶体管密度超高，需要使用多重曝光技术，部分时候不得不使用四重、五重乃至是六重曝光，这就导致生产流程加长、成本加高，良品率也很难提上来。

另外，Intel 10nm仍然完全依赖传统的深紫外光刻(DUV)，激光波长193nm，下一代7nm才会在部分层面上使用极紫外光刻(EUV)，激光波长缩短到13.5nm，因此工程师们不得不绞尽脑汁，挖掘现有技术的全部潜力。