6月15日，《日经亚洲评论》报道称，日本将与美国合作，最早于2025年在日本本土建成2nm芯片制造基地，以便加入下一代芯片技术的商用化竞争。该报道提到，日美两国政府将根据双边芯片技术合作伙伴关系提供支持，两国民间企业将在设计和量产方面进行研究。

《日经亚洲评论》报道截图

目前，台积电在芯片先进制程上处于全球领先地位，计划2025年量产2nm工艺，但该公司通常不会把最先进的工厂建在台岛以外。过去两年，台积电相继宣布在美国和日本建设芯片工厂，其中美国工厂计划在2024年量产5nm，日本工厂计划在2024年量产10nm至20nm芯片。

日经亚洲报道称，日本希望通过在本土生产新一代半导体，确保稳定供应。为实现这一目标，日本和美国企业有望联合成立新公司，或者日本企业可以建立一个新制造中心。日本经济产业省将补贴部分研发费用和资本支出。该报道提到，日美最早将于今年夏天开始共同研究，并在2025 -2027年之间建立研究和量产中心。

更先进的芯片制程可以帮助设备小型化和性能的提高。日媒称，2nm芯片将用于量子计算机、数据中心和高端智能手机等产品，这些芯片还能减少电力消耗，减少碳排放。而且芯片大小也将影响战斗机和导弹等军事装备的性能。从这个角度来看，2nm芯片与国家安全直接相关。

台积电技术路线图

今年5月初，日美达成一项基本原则，包括日美在内的“志同道合”的国家将共同推进地区半导体供应链建设。日美双方将在即将举行的“2+2”内阁经济官员会议上讨论合作细节。上周，日本内阁批准了首相岸田文雄的“新资本主义”议程，概述了在10年内通过与美国的双边公私合作建立芯片设计和制造基地的计划。

除台积电外，三星和英特尔也正在布局2nm芯片制造。其中，三星芯片代工业务的高管曾在去年10月透露，该公司有望在2025 年下半年使用其2nm制造工艺量产芯片。英特尔则在今年4月透露，预计下一代Intel 18A制程（相当于1.8nm）将提前在2024年下半年投产。

日经亚洲报道称，日本国立研究机构“产业技术综合研究所”（National Institute of Advanced Industrial Science and Technology）正在开发先进半导体生产线的制造技术，包括那些用于2nm工艺的生产线，像东京电子和佳能这样的芯片制造设备制造商，以及IBM、英特尔和台积电，都已经加入其中。

“日本拥有信越化学和Sumco等实力强劲的芯片材料制造商，而美国拥有芯片制造设备巨头应用材料，芯片制造商和主要供应商之间的合作旨在实现2nm芯片的量产技术。”该报道称。

日媒的预期很美好，但客观来说，现在谈论2nm制程可能有些为时过早，毕竟台积电和三星的3nm还未实现量产。

按照计划，三星已宣布将抢先台积电一步在2022年上半年量产3nm制程，而台积电之前透露的3nm量产时间是2022年下半年。不过近期行业分析师郭明錤在推特上爆料，台积电3nm和4nm改良版直到2023年才能实现大规模量产，将导致今年的新款iPhone只能使用5nm改良版和4nm制程。

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