韩国《朝鲜日报》11月12日报道，包括三星电子、SK海力士、铠侠和美光在内的全球NAND闪存厂商，正于今年下半年同步缩减NAND闪存供应。

分析指出，供应调整的目的是推动价格上涨。此外，由于这些厂商正将生产设施向四级单元（Quad-Level Cell，QLC）工艺转型，生产损耗将不可避免，而QLC工艺的需求正因人工智能数据中心而大幅激增。

与此同时，三星电子、SK海力士和铠侠正推动NAND闪存价格回升，在去年全年NAND闪存价格一直处于“成本线水平”。

有消息称，三星电子内部正考虑将价格上调20%至30%以上，同时正与海外主要客户商议明年的NAND闪存供应量。

12日，《朝鲜日报》商业版获取了咨询公司Omdia的年度NAND闪存生产数据。数据显示，三星电子已将今年的NAND晶圆生产目标下调至472万片，较去年的507万片减少约7%。铠侠也将产量从去年的480万片降至今年的469万片。Omdia认为，三星电子和铠侠的减产趋势预计将持续至明年。

SK海力士和美光同样在保守地限制生产规模，期望借助价格上涨获利。

SK海力士的NAND闪存产量从去年的201万片降至今年的180万片，降幅约10%。美光的情况与此类似。目前，美光正通过将其新加坡最大NAND闪存生产基地地产量维持在30万片出头的较低水平，来执行保守的供应策略。

随着主要供应商同步调整产量，NAND闪存产品的平均售价正大幅上涨。

海外市场研究机构指出，仅上一季度就上涨15%的NAND闪存价格，未来可能飙升40%到50%以上。

据集邦咨询（TrendForce）数据，目前市场应用最广泛的512Gb三级单元（Triple-Level Cell，TLC）NAND芯片现货价格，较前一周上涨14.2%，达到5.51美元。现货价格指分销市场中即时交易的价格，其上涨意味着该产品的获取难度已有所增加。

TLC架构NAND闪存的供应短缺，也表明主要NAND闪存供应商正将重心从TLC转向利润率更高的QLC。QLC与TLC的区别在于NAND闪存基本单元（单个存储单元）可存储的比特数。TLC单个单元可存储3比特数据，而QLC单个单元可存储 4 比特数据。由于在相同面积下，QLC能比TLC多提供30%的存储容量，因此对于制造AI数据中心所需的大容量固态硬盘而言，QLC具有显著优势。

半导体行业的一位消息人士解释道：“由于要向 AI 数据中心 SSD 所需的 QLC 工艺转型，部分基于 TLC 的 NAND 闪存生产线会暂停，这使得四大厂商都出现了自然的减产效应。” 该人士还表示：“在设施和工艺转型期间出现‘生产损耗’，进而导致市场价格大幅上涨，这是行业内的常见情况。”

与此同时，长期受供应过剩困扰的三星电子和SK海力士，也正趁着NAND闪存价格上涨的迹象，采取行动实现利润最大化。

此前有消息称，美国闪迪公司已从本月起，将NAND闪存产品的合约价格最高上调了约50%。

另有分析认为，由于担心NAND闪存价格大幅上涨，北美主要科技巨头正纷纷加紧备货，因此明年的NAND闪存供应量可能已售罄。

本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。