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台媒:鸿海集团确定入局存储产业

2018-09-30 10:23:49

来源:内容来自「综合自经济日报等」,谢谢。

据台湾经济日报报道,鸿海集团对下世代存储很有兴趣,并已与SK集团长期策略合作。旗下半导体次集团总经理暨夏普董事刘扬伟证实,在于海力士合作之前,鸿海集团与台湾的存储大厂旺宏也接触过考量技术演进。

在鸿海方面看来,存储持续往3D堆叠发展并有新技术崛起,可能会进入到下世代特殊型存储,如类似MRAM(磁电阻式随机存取存储)、ReRAM(可变电阻式存储)等应用。

鸿海集团1994年就开始低调发展半导体领域,近一年对外以「S次集团」浮上台面,并纳入集团整体陆续发展的晶圆设备、封测、IC设计与服务等领域。另一方面,鸿海集团也积极在大陆寻找半导体领域投资标的,据了解,鸿海集团半导体扩张布局倾向透过投资与收购,相关计画都是「现在进行式」,善用大陆资源,促成半导体产业一条龙布局,与集团发挥互补作用。

鸿海进军存储之心由来已久

去年,在东芝宣布将出售存储业务的时候,计划改变代工局面,涉足上游的鸿海集团就表现出了对这块业务的信心。

鸿海集团掌门人郭台铭联合戴尔、金士顿科技、苹果等企业已想对东芝存储发起收购。在郭看来,因为它们的产品在使用东芝的半导体,可以支撑起经营。他同时透露,亚马逊已接近加入,鸿海与谷歌、微软和思科的谈判仍在进行中。

郭台铭同时透露,希望鸿海与夏普的出资比率控制在40%以下,东芝的出资比率至少维持在15%。他还表示,为了追赶全球排名第一的韩国三星电子,其领头的财团将大力进行研发投资。

鸿海一直是东芝芯片业务的坚定竞购者。此前曾有消息称,鸿海向东芝芯片开出了3万亿日元(约合270亿美元)的报价,在竞购者的出价中排名第一。

但鸿海在这桩竞购中却被日本方面的不认可。

按照郭台铭的说法,他之所以想入局存储,是为了应对因人工智能等领域不断发展而出现增长的数据中心需求。他强调,未来大数据、海量资料与8K影像都会用到更多储存装置。富士康是全球最大的服务器制造厂,未来将需要更多更大量的储存设备,以满足市场需求。而东芝掌握的最新型存储媒体“固态硬盘(SSD)”也被郭台铭特别强调。他认为,固态硬盘具有出色的节能性,掌握着未来产业的关键。

但最后鸿海出局,东芝存储售给以美国投资公司贝恩(Bain Capital)为主的「美日韩联盟」,这是后话。

下世代存储技术看谁?

现代电子产品中,存储扮演不可或缺的重要的角色。2017年半导体产业产值预估首次超过4,000亿美元,其中原因之一是存储需求大增,厂商能提高售价,2017年营收成长约五成,南韩三星是最大的存储供应商,获利最大。这波存储热潮预计被新兴的需求继续推动,物联网、穿戴式装置、云端储存和巨量资料运算等都将成带动存储市场的动能。

目前存储依储存特性,以断电后资料是否消失可分为挥发性和非挥发性存储,挥发性存储断电后资料不能留存,成本较高但是速度快,通常用于资料暂存;非挥发性存储存取速度较慢,但可长久保存资料。

由于主流存储DRAM与NAND在微缩制程上已出现瓶颈与影响,因此找出替代性的解决方案或改变电路等,以因应未来资料储存需求,将是目前存储产业最重要的议题。

开发下世代存储的三大衡量标准包括成本、元件效能、可微缩性与密度等,其中成本需考量存储颗粒、模组与控制电路等总体;元件效能则包含延迟时间、可靠度、资料保存耐久度等。

下世代的存储,目前普遍朝向改变过去储存电荷来存取资料的方式,藉由改变储存状态机制解决制程上的限制,另外,低功耗为下世代存储甚至元件的共通目标。

同时兼具运算、储存能力的下世代存储,如磁阻式存储(MRAM)、电阻式存储(RRAM)、3D XPoint技术与高潜力的自旋电子磁性存储(STT-MRAM)等,就成为下世代存储技术的新宠儿。

MRAM的技术在学理上存取速度将超越DRAM达到接近SRAM,且断电后资料不流失,早期由Everspin公司开发,被视为下世代存储技术的重要的竞争者。2017年是MRAM技术爆发的一年,当年在日本举办的大型积体电路技术日本举办的大型积体电路技术、系统和应用国际研讨会,格罗方德与Everspin公司共同发布有抗热消磁eMRAN技术,具能够让资料在摄氏150度下保存资料,可长达十数年的22纳米制程的制程技术,预计2017年底、2018年投产。

而曾经投入存储研发生产,但却不敌成本高昂而退出存储市场的台积电,在2017年台积电技术论坛中,揭露已具备22纳米制程嵌入式磁阻式存储(eMRAM)的生产技术,预定2018年试产。

RRAM其优点是消耗电力较NAND低,且写入资讯速度比NAND快闪存储快1万倍,主要投入研究的厂商有美光、Sony、三星。

台积电也已宣布具备生产22纳米eRRAM技术。3D XPoint技术的主要厂商为英特尔与美光,采用多层线路构成的三维结构,并采用栅状电线电阻来表示0和1,原理类似RRAM。

为储存装置的良好的替代品,具有比NAND快闪存储快了近1,000倍,也可用于运算速度要求低的计算应用。

STT-MRAM是运用量子力学的电子自旋角动量的技术应用,具有DRAM和SRAM的高性能且低功耗,并相容现有的CMOS制造技术与制程。

目前主要投入厂商有IBM与三星、SK海力士和东芝,其中IBM和三星在IEEE发布研究论文表示,已成功实现10奈秒的传输速度和超省电架构。

尽管下世代存储未来有望取代部分DRAM与NAND快闪存储的市场,甚至取代旧有技术。但是笔者认为,随着人工智能、物联网装置与更多的资料收集与感测需求,下世代的存储技术首先将着眼于以新应用的需求为主,如台积电锁定的嵌入式存储,并充分发挥运算与储存二合一的优势,进一步微缩大小,达到元件更高的市场渗透率。

但是若从厂商动态来看,22纳米的eMRAM技术将于2018年年后逐渐成熟,并开始有大量的市场应用。 

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来源:半导体行业观察 | 责任编辑:关文平
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