近日，武汉新芯对外宣布称，基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。它的进步体现在可将不同功能的晶圆(如逻辑、存储和传感器等)垂直整合，在不同晶圆金属层之间实现电性互连。与传统的2.5D芯片堆叠相比，晶圆级的三维集成技术能同时增加带宽、降低延时、提高性能、降低功耗。

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武汉新芯技术副总裁孙鹏表示，三维集成技术是武汉新芯继NOR Flash、MCU之外的第三大技术平台。武汉新芯的三维集成技术居于国际先进、国内领先水平，已积累了6年的大规模量产经验，能为客户提供工艺先进、设计灵活的晶圆级集成代工方案。2013年就成功将其应用于背照式影像传感器，良率高达99%，随后陆续推出硅通孔堆叠技术、混合键合技术和多片晶圆堆叠技术。