据科技日报15日报道，从武汉光电国家研究中心获悉，该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。光刻机是集成电路生产制造过程中的关键设备，主流深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻机主要由荷兰ASML公司垄断生产，属于国内集成电路制造业的“卡脖子”技术。