集微网消息（文/Oliver），9月19日，在2019中芯国际技术研讨会上，中芯国际市场及海外销售副总裁Kelvin Low表示，中芯国际的14nm FinFET工艺良率正不断爬坡，产能也正成指数级增长。

Kelvin Low表示，在每一个工艺节点，中芯国际都在针对不同的应用需求来推出不同IP产品，例如MCU、基站等横向应用领域。虽然MCU现在可能只会应用到55nm和40nm工艺，但Kelvin透露，目前也有客户在考虑采用FinFET技术，所以未来FinFET技术拥将有很大的市场。

目前，中芯国际的14nm已经进入了客户风险量产阶段，12nm也已经进入了客户导入阶段。那么12nm相较于14nm有何提升呢？

Kelvin表示，中芯国际致力于帮助客户打造低功耗、高性能的产品，而功耗的表现需要从多个维度去比较。具体来看，中芯国际的12nm相较于14nm能将芯片尺寸缩小10%，动态功耗降低10%，静态功耗降低36%。

虽然射频和车用电子目前还没有用到先进工艺，但Kelvin认为，除了MCU，这两个领域很快也会使用到14nm和12nm，中芯国际从工艺到封装都已经做好了准备。

赵海军：两年之内必将出现电流计算的3nm技术

中芯国际联合CEO赵海军博士在2019中芯国际技术研讨会上讲到，有好的设备中芯国际工艺也能很快的升级换代，因为器件并不需要更新。业界两年之内一定会出现3nm，但是是电流计算的3nm。

赵海军博士表示，中芯国际要做快速跟随者，要做第二梯队的第一名。他指出，市场上主要有引领者、挑战者、跟随者和利基者四个角色，而中芯国际要做快速的跟随者，要做第二梯队的第一名。

关于集成电路代工产业发展趋势，赵海军指出，在智能手机的驱动下，由于当今的工艺已经不需要做新器件，所以基本能做到一年一代。也因此，如果有好的设备，中芯国际也能很快的升级换代。

另外，赵海军还表示，业界两年内一定会会出现3nm工艺，因为他们已经做得差不多了。不过3nm是电流计算的3nm。