SK海力士搞定1Z纳米16Gb DDR4内存,年内量产

来源:观察者网

2019-10-21 16:03

(观察者网讯)10月21日,SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4动态随机存储器(DRAM)。SK海力士称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

此外,与上一代1Y纳米产品相比,其产能提升约27%,因其无需昂贵的极紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本竞争优势。

新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,功耗降低约40%。

第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。

接下来,SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1Z开发事业TF长李廷燻表示,该芯片计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应。

科普:什么是1Xnm,1Ynm和1Znm

在内存工艺进入20nm之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是希望通过两代或三代1Xnm节点去升级DRAM,由此称为1Xnm、1Ynm、1Znm。大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

责任编辑:程北墨
SK海力士 1Z纳米 DRAM
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