台积电:5nm制程晶体管增加1.8倍,三星仅增2成

来源:观察者网

2019-10-22 16:04

(观察者网讯 文/吕栋)

10月21日,据台湾《经济日报》报道,台积电内部消息称,台积电5纳米制程试产结果显示,晶体管数是7纳米的1.8倍,而竞争对手三星却仅增加二成,且台积电功耗等芯片效能都超过竞争对手,制程工艺领先。

据报道,台积电不愿透露有多少客户采用5纳米制程,但台积电强调,这项全数采用极紫外光(EUV)微影设备的制程,已兼具效能和成本等因素,客户也预期将会有很好的销售表现,才会要求为其准备产能。

台积电供应链透露,台积电5纳米已吸引包括苹果、超威、海思、高通、比特大陆等一线大厂,量产时间或将提前至明年3月。

此外,5纳米月产能已由原定的4.7万片增至5.1万片,P3厂决定加快建厂行程,并导入5纳米强化版,月产能规划近3万片,使5纳米月产能增至8万片以上。

图自台媒

台积电总裁魏哲家日前表示,台积电7纳米和5纳米将会是明年营收增长主力,7纳米营收占比第3季已达27%,本季将超越三成,全年占比25%,明年还会高于今年。至于5纳米明年营收占比,暂不对外公布。

岛内业界解读称,台积电押宝5纳米,是希望借5纳米完封三星。

台积电日前发布会宣布,上调今年资本支出,由原订上限110亿美元,上调为140亿至150亿美元,为历年来最大手笔,上修幅度达27.27%到40%,高于外资法人预期。

台积电表示,这次大幅上调资本支出,主因是客户需求超出原先预期,而且增加的40亿美元资本支出,有25亿美元用5纳米,另外15亿美元用于增加7纳米产能。

面对台积电来势汹汹,韩国大厂三星也不甘于落后。

据韩媒报道,为达成2030年成为全球第一半导体大厂的目标,并超越台积电,抢占未来2到3年的5G商用化所带来的半导体市场需求,三星已向全球微影曝光设备大厂ASML订购15台先进EUV设备,价值3万亿韩元,约合181亿人民币,交付分三年进行。

三星电子自2005年进入晶圆代工领域,目前已经7nm EUV技术已实现量产。三星计划,6nm制程在2019年下半年开始量产,5nm制程在2020年上半年量产,3nm制程预计在2021年进入量产。

数据显示,2019年Q3全球晶圆代工产业台积电以50.5%稳坐第一,而近年努力发展先进制程的三星电子以18.5%的市占率位居第二,但三星很显然不愿一直位居次席,一直在扩大半导体投资。

三星今年4月发布一项高达133万亿韩元的系统IC投资,其中60万亿韩元将用于晶圆代工设备投资。去年8月,三星曾发表3年180万亿韩元投资,其中90万亿到100万亿韩元将用于半导体设备。

业内人士透露,为了超越台积电,三星不仅会增加设备投资,还会通过提供技术竞争力来吸引客户。

责任编辑:吕栋
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